Карбид кремния SiC

Описание

Пластина из карбида кремния SiC, Чрезвычайно твердое, синтетически полученное кристаллическое соединение кремния и углерода методом MOCVD, проявляющееего уникальная широкая запрещенная зона и другие благоприятные характеристики низкого коэффициента теплового расширения, более высокой рабочей температуры, хорошего рассеивания тепла, более низких потерь при переключении и проводимости, большей энергоэффективности, высокой теплопроводности и более высокой прочности на пробой электрического поля, а также более концентрированные токи условие.Карбид кремния SiC в корпорации Western Minmetals (SC) может поставляться диаметром 2″ 3 фута 4 дюйма и 6 дюймов (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) с n-типом, полуизолирующей или фиктивной пластиной для промышленных целей. и лабораторное применение. Любая индивидуальная спецификация предназначена для идеального решения для наших клиентов по всему миру.

Приложения

Высококачественная пластина SiC из карбида кремния 4H/6H идеально подходит для производства многих передовых быстрых, высокотемпературных и высоковольтных электронных устройств, таких как диоды Шоттки и SBD, высокомощные переключающие MOSFET и JFET и т. д. также желательный материал для исследований и разработок биполярных транзисторов с изолированным затвором и тиристоров.Являясь выдающимся полупроводниковым материалом нового поколения, пластина карбида кремния SiC также служит в качестве эффективного теплоотвода в компонентах мощных светодиодов или в качестве стабильной и популярной подложки для выращивания слоя GaN в интересах будущих целевых научных исследований.

Запрос сейчас

Подробности

Карбид кремния SiCв Western Minmetals (SC) Corporation могут поставляться в размерах 2″ 3’ 4″ и 6″ (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) в диаметре, с n-типом, полуизолирующими или фиктивными пластинами для промышленного и лабораторного применения. .Любая индивидуальная спецификация предназначена для идеального решения для наших клиентов по всему миру.

Линейная формула	карбид кремния
Молекулярный вес	40,1
Кристальная структура	вюрцит
вид	Твердый
Температура плавления	3103±40К
Точка кипения	Н/Д
Плотность при 300К	3,21 г/см³
Энергетический разрыв	(3,00-3,23) эВ
Собственное сопротивление	>1E5 Ом-см
Количество CAS	409-21-2
Номер ЕС	206-991-8

Нет.	Предметы	Стандартная спецификация
1	Размер карбида кремния	2"	3"	4"	6"
2	Диаметр мм	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Метод роста	МОСВД	МОСВД	МОСВД	МОСВД
4	Тип проводимости	4Н-Н, 6Н-Н, 4Н-СИ, 6Н-СИ
5	Удельное сопротивление Ом-см	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Ориентация	0°±0,5°;4,0° в сторону <1120>
7	Толщина мкм	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Расположение основной квартиры	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Первичная плоская длина, мм	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Расположение вторичной квартиры	Силиконовая лицевая сторона вверх: 90°, по часовой стрелке от основной плоскости ±5,0°
11	Вторичная плоская длина, мм	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV мкм макс.	15	15	15	15
13	Изгиб, мкм макс.	40	40	40	40
14	Деформация, мкм макс.	60	60	60	60
15	Исключение края, мм макс.	1	2	3	3
16	Плотность микротрубки см-2	<5, промышленный;<15 лет, лаборатория;<50, манекен
17	Вывих см-2	<3000, промышленный;<20000, лаборатория;<500000, фиктивный
18	Шероховатость поверхности, нм макс.	1 (полированный), 0,5 (CMP)
19	Трещины	Нет, для промышленного класса
20	Шестиугольные пластины	Нет, для промышленного класса
21	Царапины	≤3 мм, общая длина меньше диаметра подложки
22	Краевые чипы	Нет, для промышленного класса
23	Упаковка	Одиночный вафельный контейнер, запечатанный в алюминиевом композитном пакете.

Карбид кремния SiC 4H/6HВысококачественная пластина идеально подходит для производства многих передовых быстрых, высокотемпературных и высоковольтных электронных устройств, таких как диоды Шоттки и SBD, высокомощные переключающие MOSFET и JFET и т. д. Это также желательный материал в исследования и разработки биполярных транзисторов и тиристоров с изолированным затвором.Являясь выдающимся полупроводниковым материалом нового поколения, пластина карбида кремния SiC также служит в качестве эффективного теплоотвода в компонентах мощных светодиодов или в качестве стабильной и популярной подложки для выращивания слоя GaN в интересах будущих целевых научных исследований.