Арсенид галлия GaAs

Описание

Арсенид галлияGaAs это Полупроводник с прямой запрещенной зоной группы III-V, синтезированный из галлия и мышьяка высокой чистоты не менее 6N 7N, и выращенный кристалл с помощью процесса VGF или LEC из поликристаллического арсенида галлия высокой чистоты, внешний вид серого цвета, кубические кристаллы со структурой цинковой обманки.При легировании углеродом, кремнием, теллуром или цинком для получения n-типа или p-типа и полуизолирующей проводимости соответственно цилиндрический кристалл InAs можно нарезать и изготовить в виде заготовки и пластины в том виде, в котором они были вырезаны, протравлены, отполированы или эпилированы. -готовность к эпитаксиальному росту MBE или MOCVD.Пластина арсенида галлия в основном используется для изготовления электронных устройств, таких как инфракрасные светоизлучающие диоды, лазерные диоды, оптические окна, полевые транзисторы FET, линейные цифровые ИС и солнечные элементы.Компоненты GaAs полезны в сверхвысоких радиочастотах и ​​приложениях быстрого электронного переключения, приложениях усиления слабого сигнала.Кроме того, подложка из арсенида галлия является идеальным материалом для изготовления ВЧ-компонентов, микроволновых частотных и монолитных ИС, а также светодиодных устройств в системах оптической связи и управления благодаря своей насыщающей мобильности, высокой мощности и температурной стабильности.

Доставка

Арсенид галлия GaAs в Western Minmetals (SC) Corporation может поставляться в виде поликристаллического куска или монокристаллической пластины в виде вырезанных, протравленных, полированных или готовых к эпиляции пластин размером 2 дюйма, 3 дюйма, 4 дюйма и 6 дюймов (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) в диаметре, с проводимостью p-типа, n-типа или полуизолирующей проводимостью и ориентацией <111> или <100>.Индивидуальная спецификация предназначена для идеального решения для наших клиентов по всему миру.