Кадмий Марганец Теллурид CdMnTe 5N

Описание

Теллурид кадмия и марганца CdMnTe или CMTчистота 5N 99,999% (Cd_0,8-0,9Mn_0,1-0,2Те, CD_0,63Mn_0,37Te или другое атомное соотношение Cd_1-хMn_xTe) представляет собой синтезированное соединение кадмия, марганца и теллура и кристаллизуется в гексагональную структуру.Теллурид кадмия и марганца CdMnTe (Cd_1-хMn_xTe) является многообещающим материалом для приложений обнаружения рентгеновского и гамма-излучения при комнатной температуре.Обладая широкой запрещенной зоной в диапазоне от 1,7 до 2,2 эВ, полупроводниковый кристалл, выращенный модифицированным методом плавающей зоны FZM, методом бегущего нагревателя THM или методами вертикального Бриджмена VB, позволяет получить монокристалл с высоким удельным сопротивлением, большой объем и высокую кристалл времени жизни подвижности, который характеризует различное осевое распределение Mn, концентрации примесей, удельное сопротивление, бездефектность, эффекты Холла и спектры энергетического отклика.Проводимость кристалла, выращенного из ТГМ, относится к слабому N-типу, а ВЗ — к P-типу.Теллурид марганца кадмия в Western Minmetals (SC) Corporation с чистотой 99,999% 5N может поставляться в виде порошка, гранул, кусков 1-20 мм, кусочков, дисков D32, D50 и стержней в вакуумной композитной алюминиевой упаковке или в соответствии с индивидуальной спецификацией. чтобы достичь идеального решения.с вакуумной композитной алюминиевой сумкой.

Приложения

Одиночный кристалл кадмия-марганца-теллурида также проявляет как эффект Поккеля, так и более крупные эффекты Фарадея в качестве эффективного материала для оптического изолятора на более длинных волнах. Это разбавленный магнитный полупроводниковый материал, который составляет основу многих важных устройств, таких как ИК-детекторы, солнечные элементы. , датчик магнитного поля, лазеры видимого и ближнего ИК-диапазона, а также используемые для фотоэлектрических пленочных элементов, электрооптических модуляторов и других оптических фотоэлектрических материалов.В целом, он предлагает несколько потенциальных преимуществ по сравнению с CdZnTe и ценность в качестве материала детектора, альтернативного хорошо известным детекторам CdZnTe.