Оксид галлия

Описание

Оксид галлия Ga₂O₃99,99%, 99,999% и 99,9999% 4N 5N 6N, белый твердый порошок в обеих кристаллических фазах α и β, CAS 12024-21-4, молекулярная масса 187,44, температура плавления 1740°C, нерастворим в воде, но растворим в большинстве кислот, представляет собой прозрачный оксидный полупроводниковый материал с превосходными свойствами чрезвычайно большой ширины запрещенной зоны, превышающей 4,9 эВ, и наличием крупногабаритных высококачественных исходных подложек, изготовленных из монокристаллов, выращенных из расплава.Оксид галлия Ga₂O₃имеет широкие перспективы для применения в оптоэлектронной промышленности, например, в качестве изолирующего слоя для полупроводниковых материалов на основе Ga, в качестве ультрафиолетовых фильтров, в качестве химических зондов для кислорода, изолирующего барьера для плотных соединений, оптических полупроводниковых устройств и керамических приложений.Оксид галлия также используется в светоизлучающих диодах, светодиодах, флуоресцентном порошке, реагенте высокой чистоты, а также в лазерах и других люминесцентных материалах и т. д.

Доставка

Оксид галлия или триоксид галлия Ga₂O₃ в кристаллографической форме типа α или β с чистотой 99,99%, 99,999% и 99,9999% (4N 5N 6N) в Western Minmetals (SC) Corporation могут поставляться в виде порошка D50 ≤ 4,0 мкм, -80 меш (≤0,18 мкм) или 50-100 меш (0,15-0,30 микрон) в упаковке 1 кг, 2 кг в полиэтиленовой бутылке или 1 кг, 2 кг, 5 кг в вакуумном алюминиевом композитном пакете с картонной коробкой по 10 кг или 20 кг нетто каждый, или в соответствии с индивидуальными спецификациями для идеальных решений .