wmk_product_02

Нитрид галлия GaN

Описание

Нитрид галлия GaN, CAS 25617-97-4, молекулярная масса 83,73, кристаллическая структура вюрцита, представляет собой бинарное соединение с прямой запрещенной зоной, полупроводник группы III-V, выращенный высокоразвитым аммонотермическим методом.Нитрид галлия GaN, характеризующийся идеальным качеством кристаллов, высокой теплопроводностью, высокой подвижностью электронов, высоким критическим электрическим полем и широкой запрещенной зоной, обладает желательными характеристиками в оптоэлектронике и датчиках.

Приложения

Нитрид галлия GaN подходит для производства передовых высокоскоростных и высокопроизводительных ярких светодиодов, компонентов светодиодов, лазерных и оптоэлектронных устройств, таких как зеленые и синие лазеры, транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) и в высокомощных и производство высокотемпературных устройств.

Доставка

Нитрид галлия GaN в Western Minmetals (SC) Corporation может поставляться в виде круглой пластины размером 2 дюйма или 4 дюйма (50 мм, 100 мм) и квадратной пластины 10×10 или 10×5 мм.Любой индивидуальный размер и спецификация являются идеальным решением для наших клиентов по всему миру.


Подробности

Теги

Техническая спецификация

Нитрид галлия GaN

GaN-W3

Нитрид галлия GaNв Western Minmetals (SC) Corporation могут быть предоставлены круглые пластины размером 2 дюйма или 4 дюйма (50 мм, 100 мм) и квадратные пластины 10×10 или 10×5 мм.Любой индивидуальный размер и спецификация являются идеальным решением для наших клиентов по всему миру.

Нет. Предметы Стандартная спецификация
1 Форма Циркуляр Циркуляр Площадь
2 Размер 2" 4" --
3 Диаметр мм 50,8±0,5 100±0,5 --
4 Длина стороны мм -- -- 10х10 или 10х5
5 Метод роста ВДПЭ ВДПЭ ВДПЭ
6 Ориентация C-самолет (0001) C-самолет (0001) C-самолет (0001)
7 Тип проводимости N-тип/легированный кремнием, нелегированный, полуизолирующий
8 Удельное сопротивление Ом-см <0,1, <0,05, >1E6
9 Толщина мкм 350±25 350±25 350±25
10 TTV мкм макс. 15 15 15
11 Изгиб, мкм макс. 20 20 20
12 ЭПД см-2 <5E8 <5E8 <5E8
13 Чистота поверхности П/Э, П/П П/Э, П/П П/Э, П/П
14 Шероховатость поверхности Спереди: ≤0,2 нм, сзади: 0,5-1,5 мкм или ≤0,2 нм
15 Упаковка Один контейнер для вафель, запечатанный в алюминиевом пакете.
Линейная формула GaN
Молекулярный вес 83,73
Кристальная структура Цинковая обманка/Вюрцит
вид Полупрозрачный твердый
Температура плавления 2500 °С
Точка кипения Н/Д
Плотность при 300К 6,15 г/см3
Энергетический разрыв (3,2-3,29) эВ при 300К
Собственное сопротивление >1E8 ​​Ом-см
Количество CAS 25617-97-4
Номер ЕС 247-129-0

Нитрид галлия GaNподходит для производства передовых высокоскоростных и мощных ярких светодиодов, компонентов светодиодов, лазерных и оптоэлектронных устройств, таких как зеленые и синие лазеры, транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), а также в высокомощных и высокомощных промышленность по производству температурных приборов.

GaN-W1

GaN-W2

InP-W4

s12

PC-20

Советы по закупкам

  • Образец доступен по запросу
  • Безопасная доставка товаров курьером/воздухом/морем
  • COA/COC Управление качеством
  • Надежная и удобная упаковка
  • Стандартная упаковка ООН доступна по запросу
  • ISO9001: 2015 Сертифицировано
  • Условия CPT/CIP/FOB/CFR По Инкотермс 2010
  • Гибкие условия оплаты T/TD/PL/C приемлемы
  • Полноразмерное послепродажное обслуживание
  • Контроль качества на современном оборудовании
  • Утверждение правил Rohs/REACH
  • Соглашения о неразглашении NDA
  • Неконфликтная политика в отношении полезных ископаемых
  • Регулярный обзор управления окружающей средой
  • Социальная ответственность

Нитрид галлия GaN


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • QR код