Описание
Пластина из карбида кремния SiC, Чрезвычайно твердое, синтетически полученное кристаллическое соединение кремния и углерода методом MOCVD, проявляющееего уникальная широкая запрещенная зона и другие благоприятные характеристики низкого коэффициента теплового расширения, более высокой рабочей температуры, хорошего рассеивания тепла, более низких потерь при переключении и проводимости, большей энергоэффективности, высокой теплопроводности и более высокой прочности на пробой электрического поля, а также более концентрированные токи условие.Карбид кремния SiC в корпорации Western Minmetals (SC) может поставляться диаметром 2″ 3 фута 4 дюйма и 6 дюймов (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) с n-типом, полуизолирующей или фиктивной пластиной для промышленных целей. и лабораторное применение. Любая индивидуальная спецификация предназначена для идеального решения для наших клиентов по всему миру.
Приложения
Высококачественная пластина SiC из карбида кремния 4H/6H идеально подходит для производства многих передовых быстрых, высокотемпературных и высоковольтных электронных устройств, таких как диоды Шоттки и SBD, высокомощные переключающие MOSFET и JFET и т. д. также желательный материал для исследований и разработок биполярных транзисторов с изолированным затвором и тиристоров.Являясь выдающимся полупроводниковым материалом нового поколения, пластина карбида кремния SiC также служит в качестве эффективного теплоотвода в компонентах мощных светодиодов или в качестве стабильной и популярной подложки для выращивания слоя GaN в интересах будущих целевых научных исследований.
Техническая спецификация
Карбид кремния SiCв Western Minmetals (SC) Corporation могут поставляться в размерах 2″ 3’ 4″ и 6″ (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) в диаметре, с n-типом, полуизолирующими или фиктивными пластинами для промышленного и лабораторного применения. .Любая индивидуальная спецификация предназначена для идеального решения для наших клиентов по всему миру.
Линейная формула | карбид кремния |
Молекулярный вес | 40,1 |
Кристальная структура | вюрцит |
вид | Твердый |
Температура плавления | 3103±40К |
Точка кипения | Н/Д |
Плотность при 300К | 3,21 г/см3 |
Энергетический разрыв | (3,00-3,23) эВ |
Собственное сопротивление | >1E5 Ом-см |
Количество CAS | 409-21-2 |
Номер ЕС | 206-991-8 |
Нет. | Предметы | Стандартная спецификация | |||
1 | Размер карбида кремния | 2" | 3" | 4" | 6" |
2 | Диаметр мм | 50,8 0,38 | 76,2 0,38 | 100 0,5 | 150 0,5 |
3 | Метод роста | МОСВД | МОСВД | МОСВД | МОСВД |
4 | Тип проводимости | 4Н-Н, 6Н-Н, 4Н-СИ, 6Н-СИ | |||
5 | Удельное сопротивление Ом-см | 0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5 | |||
6 | Ориентация | 0°±0,5°;4,0° в сторону <1120> | |||
7 | Толщина мкм | 330±25 | 330±25 | (350-500)±25 | (350-500)±25 |
8 | Расположение основной квартиры | <1-100>±5° | <1-100>±5° | <1-100>±5° | <1-100>±5° |
9 | Первичная плоская длина, мм | 16±1,7 | 22,2±3,2 | 32,5±2 | 47,5±2,5 |
10 | Расположение вторичной квартиры | Силиконовая лицевая сторона вверх: 90°, по часовой стрелке от основной плоскости ±5,0° | |||
11 | Вторичная плоская длина, мм | 8±1,7 | 11,2±1,5 | 18±2 | 22±2,5 |
12 | TTV мкм макс. | 15 | 15 | 15 | 15 |
13 | Изгиб, мкм макс. | 40 | 40 | 40 | 40 |
14 | Деформация, мкм макс. | 60 | 60 | 60 | 60 |
15 | Исключение края, мм макс. | 1 | 2 | 3 | 3 |
16 | Плотность микротрубки см-2 | <5, промышленный;<15 лет, лаборатория;<50, манекен | |||
17 | Вывих см-2 | <3000, промышленный;<20000, лаборатория;<500000, фиктивный | |||
18 | Шероховатость поверхности, нм макс. | 1 (полированный), 0,5 (CMP) | |||
19 | Трещины | Нет, для промышленного класса | |||
20 | Шестиугольные пластины | Нет, для промышленного класса | |||
21 | Царапины | ≤3 мм, общая длина меньше диаметра подложки | |||
22 | Краевые чипы | Нет, для промышленного класса | |||
23 | Упаковка | Одиночный вафельный контейнер, запечатанный в алюминиевом композитном пакете. |
Карбид кремния SiC 4H/6HВысококачественная пластина идеально подходит для производства многих передовых быстрых, высокотемпературных и высоковольтных электронных устройств, таких как диоды Шоттки и SBD, высокомощные переключающие MOSFET и JFET и т. д. Это также желательный материал в исследования и разработки биполярных транзисторов и тиристоров с изолированным затвором.Являясь выдающимся полупроводниковым материалом нового поколения, пластина карбида кремния SiC также служит в качестве эффективного теплоотвода в компонентах мощных светодиодов или в качестве стабильной и популярной подложки для выращивания слоя GaN в интересах будущих целевых научных исследований.
Советы по закупкам
Карбид кремния SiC