Кремниевая пластина CZ

Описание

CZ Монокристаллическая кремниевая пластина нарезан из слитка монокристаллического кремния, вытянутого методом выращивания Czochralski CZ, который наиболее широко используется для выращивания кристаллов кремния из больших цилиндрических слитков, используемых в электронной промышленности для изготовления полупроводниковых устройств.В этом процессе тонкая затравка кристаллического кремния с точными допусками ориентации вводится в расплавленную ванну кремния, температура которой точно контролируется.Затравочный кристалл медленно вытягивается вверх из расплава с очень контролируемой скоростью, кристаллическое затвердевание атомов из жидкой фазы происходит на границе раздела, затравочный кристалл и тигель вращаются в противоположных направлениях во время этого процесса извлечения, создавая большое единое целое. кристаллический кремний с идеальной кристаллической структурой затравки.

Благодаря магнитному полю, приложенному к стандартному вытягиванию слитков CZ, монокристаллический кремний Czochralski MCZ, индуцированный магнитным полем, имеет сравнительно более низкую концентрацию примесей, более низкий уровень кислорода и дислокацию, а также равномерное изменение удельного сопротивления, что хорошо работает в высокотехнологичных электронных компонентах и устройствах. изготовление в электронной или фотогальванической промышленности.

Доставка

Монокристаллическая кремниевая пластина CZ или MCZ с проводимостью n-типа и p-типа в корпорации Western Minmetals (SC) может поставляться диаметром 2, 3, 4, 6, 8 и 12 дюймов (50, 75, 100, 125, 150, 200 и 300 мм), ориентация <100>, <110>, <111> с обработкой поверхности притиркой, травлением и полировкой в упаковке из пенопласта или кассеты с картонной коробкой снаружи.

Запрос сейчас

Подробности

CZ Монокристаллическая кремниевая пластина является основным материалом в производстве интегральных схем, диодов, транзисторов, дискретных компонентов, используемых во всех типах электронного оборудования и полупроводниковых устройств, а также в качестве подложки при эпитаксиальной обработке, подложке КНИ или полуизолирующих составных пластин, особенно больших размеров. Диаметры 200 мм, 250 мм и 300 мм оптимальны для изготовления сверхвысокоинтегрированных устройств.Монокристаллический кремний также в больших количествах используется для солнечных элементов в фотоэлектрической промышленности, почти идеальная кристаллическая структура которого обеспечивает высочайшую эффективность преобразования света в электричество.

Нет.	Предметы	Стандартная спецификация
1	Размер	2"	3"	4"	6"	8"	12 дюймов
2	Диаметр мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	проводимость	P или N или нелегированный
4	Ориентация	<100>, <110>, <111>
5	Толщина мкм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 или по мере необходимости
6	Удельное сопротивление Ом-см	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 и т. д.
7	ПДД макс.	8%, 10%, 12%
8	Первичная плоская/длина мм	По стандарту SEMI или по требованию
9	Вторичная плоская/длина мм	По стандарту SEMI или по требованию
10	TTV мкм макс.	10	10	10	10	10	10
11	Изгиб и деформация, мкм макс.	30	30	30	30	30	30
12	Чистота поверхности	Как вырезать, L/L, P/E, P/P
13	Упаковка	Коробка из пенопласта или кассета внутри, картонная коробка снаружи.

Символ	Si
Атомный номер	14
Атомный вес	28.09
Категория элемента	Металлоид
Группа, Период, Блок	14, 3, П
Кристальная структура	Алмаз
Цвет	Темно-серый
Температура плавления	1414°С, 1687,15 К
Точка кипения	3265°С, 3538,15 К
Плотность при 300К	2,329 г/см³
Собственное сопротивление	3,2E5 Ом-см
Количество CAS	7440-21-3
Номер ЕС	231-130-8

CZ или MCZ Монокристаллическая кремниевая пластинаПроводимость n-типа и p-типа в Western Minmetals (SC) Corporation может поставляться в размерах 2, 3, 4, 6, 8 и 12 дюймов в диаметре (50, 75, 100, 125, 150, 200 и 300 мм), ориентация <100>, <110>, <111> с обработкой поверхности после резки, притирки, травления и полировки в упаковке из пенопластовой коробки или кассеты с картонной коробкой снаружи.