Теллурид кадмия

Описание

Теллурид кадмия CdTe 5N 6N 7N представляет собой кристаллическое твердое вещество черного цвета без запаха с молекулярной массой 240,01, точкой плавления 1041°C и плотностью 6,2 г/см.³.Теллурид кадмия нерастворим в воде, но растворяется в азотнокислой кислоте, что приводит к окислению во влажном воздухе при длительном воздействии.Теллурид кадмия представляет собой кристаллическое полупроводниковое соединение II-VI, синтезированное из кадмия и теллура высокой чистоты.Обладая высоким удельным сопротивлением при комнатной температуре и большим линейным коэффициентом затухания, CdTe стал рассматриваться как перспективный материал для применения в полупроводниковых детекторах при комнатной температуре.такие как инфракрасное оптическое окно и линза, тонкопленочный материал для солнечных элементов, производство полупроводниковых структур PIN, инфракрасная визуализация, обнаружение рентгеновского и гамма-излучения, оптические устройства и фотоэлектрические эпитаксиальные подложки;источник испарения кристаллического листа, проектирование электрооптических модуляторов или эпитаксиальная обработка целевых материалов и другие смежные области.Кроме того, кристаллы CdTe можно использовать для спектрального анализа и передачи в дальнем инфракрасном диапазоне, их можно сплавлять с ртутью для изготовления универсального материала для инфракрасных детекторов HgCdTe MCT, а также сплавлять с цинком для изготовления твердых рентгеновских и гамма-детекторов CdZnTe.

Доставка

Поликристаллический теллурид кадмия CdTe 5N 6N 7N от Western Minmetals (SC) Corporation с чистотой 99,999%, 99,9999% и 99,99999% может поставляться в виде порошка, куска, куска, бруска и объемного кристалла, который упакован в композитный алюминиевый мешок, наполненный аргоном. газовая защита с картонной коробкой снаружи.Монокристалл теллурида кадмия CdTe чистотой 6N и 7N может предлагаться в виде стержня и заготовки 5x5x0,5 мм, 10x10x0,5 мм и диска диаметром 1,0 дюйма x 0,5 мм или в виде индивидуальной спецификации для достижения идеального решения.

Запрос сейчас

Подробности

Поликристаллический теллурид кадмия 5N 6N 7N(CdTe Poly или CdTe Multicrystal 5N 6N 7N) в Western Minmetals (SC) Corporation с чистотой 99,999%, 99,9999% и 99,99999% могут поставляться в виде порошка, куска, куска, бруска и объемного кристалла, который упакован в композитный алюминий. мешок с защитой от газа аргона с картонной коробкой снаружи.

Монокристалл теллурида кадмия 6N 7N(Монокристалл CdTe или монокристалл CdTe) 99,9999% и 99,99999% в Western Minmetals (SC) Corporation может быть предложен в виде прутка и заготовки 5x5x0,5 мм, 10x10x0,5 м и диска диаметром 1,0 дюйма x 0,5 мм или по индивидуальному заказу. Спецификация для достижения идеального решения.

Атомный номер	240.01
Атомный вес	112,41
Плотность	5,85 г/см³
Температура плавления	1092°С
Точка кипения	1130°С
КАС №	1306-25-8
Код ТН ВЭД	2853.0090.90

Товар	Стандартная спецификация
	Чистота		Примеси (отчет об испытаниях ICP-MS или GDMS, PPM Max каждый)
Поликристаллический Теллурид кадмия CdTe	5N	99,999%	Ag/Cu/Mg/Ni/Fe/As/Bi 0,5, Al/Pb/Zn1,0	Всего ≤10
	6N	99,9999%	Ag/Zn/Al/Mg/Ni/Fe/Bi 0,05, Pb 0,1, Cu/In 0,01	Итого ≤1,0
	7N	99,99999%	Ca/Se/Sn/Fe/Pb 0,01, Zn 0,02, Ag/Al/Cu/Mg/Ni/Bi 0,005	Итого ≤0,5
	Размер		≤1,5 или 3-8 мм или ≤25 г комок, порошок -100 меш
	Упаковка		1 кг в композитном алюминиевом пакете или пластиковой бутылке, картонная коробка снаружи
Монокристалл Теллурид кадмия CdTe	6Н 7Н Чистота		6N CdTe общая примесь 1,0 ppm макс.7N CdTe общая примесь 0,1 ppm макс.
	Ориентация		<100>, <110>, <111>
	Шероховатость поверхности		<10 Å
	Чистота поверхности		Полированный/вытравленный, полированный/полированный
	Размер		5x5, 10x10, 20x20 x толщина (0,5, 1,0 или 3,0) мм
	Упаковка		Один кусок в кассете или контейнере, с вакуумным мешком снаружи.

Теллурид кадмия CdTeв основном используется для нескольких приложений, таких как инфракрасное оптическое окно и линза, тонкопленочный материал для солнечных элементов, производство полупроводниковых структур PIN, инфракрасная визуализация, обнаружение рентгеновского и гамма-излучения, оптические устройства и фотоэлектрические эпитаксиальные подложки;источник испарения кристаллического листа, проектирование электрооптических модуляторов или эпитаксиальная обработка целевых материалов и другие смежные области.Кроме того, кристаллы CdTe можно использовать для спектрального анализа и передачи в дальнем инфракрасном диапазоне, их можно сплавлять с ртутью для изготовления универсального материала для инфракрасных детекторов HgCdTe MCT, а также сплавлять с цинком для изготовления твердых рентгеновских и гамма-детекторов CdZnTe.